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IXBT12N300

更新时间： 2024-11-18 20:03:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	228K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXBT12N300 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.22	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	3000 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	705 ns	标称接通时间 (ton)：	460 ns
Base Number Matches：	1

IXBT12N300 数据手册

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 3000V

I_C110= 12A

V_CE(sat)≤ 3.2V

IXBT12N300

IXBH12N300

TO-268 (IXBT)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

3000

C (Tab)

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-247 (IXBH)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

100

C (Tab)

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 30Ω

I_CM= 98

1500

Clamped Inductive Load

P_C

T_C= 25°C

160

G = Gate

= Collector

E = Emiiter

Tab = Collector

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

High Blocking Voltage

Weight

TO-268

TO-247

^zInternational Standard Packages

^zAnti-Parallel Diode

^zLow Conduction Losses

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

Advantages

Min.

Typ.

Max.

^zLow Gate Drive Requirement

^zHigh Power Density

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3000

3.0

5.0

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

25 μA

Applications:

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

V_CE(sat)

I_C= 12A, V_GE= 15V, Note 1

2.8

3.5

3.2

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zLaser Generators

T_J= 125°C

^zCapacitor Discharge Circuits

^zAC Switches

DS100120A(10/12)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBT12N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT16N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT16N170A	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT16N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT16N170AHV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170AHV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT16N360HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT20N300	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC,
IXBT20N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,

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