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IXBT12N300HV

更新时间： 2024-11-18 21:17:19

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IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
5页	247K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,

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IXBT12N300HV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.45
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	3000 V
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

IXBT12N300HV 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage, High Gain

BiMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 3000V

I_C110= 12A

V_CE(sat)≤ 3.2V

IXBA12N300HV

IXBT12N300HV

TO-263 (IXBA)

C (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

3000

TO-268 (IXBT)

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

100

C (Tab)

G = Gate

E = Emitter

= Collector

SSOA

(RBSOA)

_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 30Ω

I_CM= 98

1500

Tab = Collector

Clamped Inductive Load

P_C

T_C= 25°C

160

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

High Voltage Package

High Blocking Voltage

Weight

TO-263

TO-268

2.5

4.0

^zAnti-Parallel Diode

^zLow Conduction Losses

Advantages

^zLow Gate Drive Requirement

^zHigh Power Density

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

Min.

Typ.

Max.

Applications:

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

3000

3.0

5.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

25 μA

^zUninterruptible Power Supplies (UPS)

^zLaser Generators

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

^zCapacitor Discharge Circuits

^zAC Switches

V_CE(sat)

I_C= 12A, V_GE= 15V, Note 1

2.8

3.5

3.2

DS100496A(04/13)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBT16N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT16N170A	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT16N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT16N170AHV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170AHV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT16N360HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT20N300	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC,
IXBT20N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT20N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,

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