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IXBR42N170

更新时间： 2024-11-04 19:54:31

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	164K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 57A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS247, TO-247AD, 3 PIN

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IXBR42N170 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	PLASTIC, ISOPLUS247, TO-247AD, 3 PIN
针数：	247	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	57 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1070 ns	标称接通时间 (ton)：	224 ns
Base Number Matches：	1

IXBR42N170 数据手册

Preliminary Technical Information

High Voltage, High Gain

BIMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

V_CES= 1700V

I_C90= 32A

V_CE(sat)≤ 2.9V

IXBR42N170

ISOPLUS247^TM

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_C= 25°C to 150°C

1700

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Isolated Tab

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

G = Gate

C = Collector

= Emitter

T_C= 25°C, 1ms

300

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10Ω

I_CM= 100

(RBSOA)

Clamped inductive load

V_CES≤ 1350

Features

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zSilicon chip on Direct-Copper Bond

(DCB) substrate

T_JM

T_stg

^zIsolated mounting surface

^z2500V electrical isolation

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Advantages

F_C

Mounting force

20..120 / 4.5..27

Nm/lb.in.

^zLow gate drive requirement

^zHigh power density

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1min

t = 1s

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA

Applications:

Weight

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

^zUninterruptible power supplies (UPS)

^zLaser generator

^zCapacitor discharge circuit

^zAC switches

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

1700

2.5

5.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0V

50 μA

1.5 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 42A, V_GE= 15V, Note 1

2.9

T_J= 125°C

2.7

DS100043(10/08)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBT10N170	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT10N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT12N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT12N300HV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel,
IXBT16N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, TO-268,
IXBT16N170A	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBT16N170A	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBT16N170AHV	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBT16N170AHV	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO

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