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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXBF12N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, I4PAK-3 |
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| IXBF14N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF14N300 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF16N360 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
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| IXBF20N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, |
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| IXBF20N300 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 27A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, |
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| IXBF20N360 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF20N360 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF28N300 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
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| IXBF32N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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