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IRG4CC71KB

更新时间： 2024-09-26 23:13:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管
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2页	80K
描述
IRG4CC71KB IGBT Die in Wafer Form

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IRG4CC71KB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	6 INCH, WAFER	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
其他特性：	ULTRA FAST SPEED	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	O-XUUC-N
元件数量：	1	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRG4CC71KB 数据手册

PD- 91834A

IRG4CC71KB

IRG4CC71KB IGBT Die in Wafer Form

600 V

Size 7.1

Ultra-Fast Speed

Circuit Rated Rated

6" Wafer

Electrical Characteristics ( Wafer Form )

Parameter

V_{CE (on)}

V_(BR)CES

V_GE(th)

I_CES

Description

Guaranteed (Min/Max)

Test Conditions

I_C= 10A, T_J= 25°C, V_GE= 15V

T_J= 25°C, I_CES= 250µA, V_GE= 0V

V_GE= V_CE, T_J=25°C, I_C=250µA

T_J= 25°C, V_CE= 600V

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Colletor-to-Emitter Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

1.7V Max.

600V Min.

3.0V Min., 6.5V Max.

300 µA Max.

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-to-Emitter Leakage Current

I_GES

± 1.1 µA Max.

T_J= 25°C, V_GE= +/- 20V

Mechanical Data

Nominal Backmetal Composition, Thickness:

Nominal Front Metal Composition, Thickness:

Dimensions:

Cr-NiV-Ag ( 1kA-2kA-.2.5kA )

99% Al, 1% Si (4 microns)

0.305" x 0.390"

Wafer Diameter:

150mm, with std. < 100 > flat

.015" + / -.003"

Wafer thickness:

Relevant Die Mechanical Dwg. Number01-5271

Minimum Street Width

100 Microns

Reject Ink Dot Size

0.25mm Diameter Minimum

Ink Dot Location

Consistent throughout same wafer lot

Store in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

For optimum electrical results, die attach

temperature should not exceed 300C

Recommended Storage Environment:

Recommended Die Attach Conditions

Reference Standard IR packaged part ( for design ) : IRG4PSC71K

Die Outline

www.irf.com

11/28/05

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRG4CC77KBPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 6 INCH, WAFER
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