5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRG4IBC20KDPBF
IRG4IBC20KDPBF PDF预览

IRG4IBC20KDPBF

更新时间： 2024-09-27 03:43:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 278K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRG4IBC20KDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：11.5 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：110 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：34 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：380 ns
标称接通时间 (ton)：88 nsBase Number Matches：1

IRG4IBC20KDPBF 数据手册

 浏览型号IRG4IBC20KDPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRG4IBC20KDPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRG4IBC20KDPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRG4IBC20KDPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRG4IBC20KDPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRG4IBC20KDPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD -94916  
IRG4IBC20KDPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
C
Features  
• High switching speed optimized for up to 25kHz  
with low VCE(on)  
VCES = 600V  
• Short Circuit Rating 10µs @ 125°C, VGE = 15V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generation  
VCE(on) typ. = 2.27V  
@VGE = 15V, IC = 6.3A  
G
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
E
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
• Industry standard TO-220 FULLPAK  
• Lead-Free  
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available  
maximizing the power density of the system  
• IGBTs optimized for specific application conditions  
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.  
Minimized recovery characteristics reduce noise EMI  
• Designed to exceed the power handling capability of  
equivalent industry-standard IGBTs  
TO-220 FULLPAK  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-to-Emitter Voltage  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
C @ TC = 25°C  
I
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current ꢀ  
11.5  
6.3  
IC @ TC = 100°C  
ICM  
23  
A
ILM  
Clamped Inductive Load Current ꢁ  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
24  
IF @ TC = 100°C  
6.3  
IFM  
24  
tsc  
10  
µs  
V
VISOL  
RMS Isolation Voltage, Terminal to Case, t = 1 min  
Gate-to-Emitter Voltage  
2500  
± 20  
34  
VGE  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
14  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
3.7  
5.5  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
–––  
65  
2.0 (0.07)  
–––  
www.irf.com  
1
12/30/03  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IRG4IBC20KDPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4BC30UDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT
IRG4PC50UDPBF INFINEON

功能相似

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IGW60T120 INFINEON

功能相似

 Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

与IRG4IBC20KDPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4IBC20UD INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20UDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20W INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC20W_04 INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC20WPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4IBC30F INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC30FD INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC30FDPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 20.3A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FR
IRG4IBC30KD INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC30KDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG4IBC20KDPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证