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IRG4PC20UPBF

更新时间： 2024-09-27 03:38:39
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 694K
描述
UltraFast Speed 1GBT (VCES=600V , VCE(on)typ.=1.85V , @VGE=15V , Ic=6.5A )

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PD - 97289  
IRG4PC20UPbF  
UltraFast Speed IGBT  
PROVISIONAL  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
C
VCES=600V  
• UltraFast: optimized for high operating  
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200  
kHz in resonant mode  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
VCE(on) typ. = 1.85V  
G
@VGE = 15V, IC = 6.5A  
E
• Industry standard TO-247AC package  
• Lead-Free  
n-channel  
C
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available  
• IGBTs optimized for specified application conditions  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBTs  
E
C
G
TO-247AC  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
600  
Collector-toEmitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current, VGE @ 15V  
Continuous Collector, VGE @ 15V  
Pulsed Collector Current  
V
IC @ TC = 25°C  
13  
A
IC @ TC = 100°C  
6.5  
ICM  
52  
ILM  
52  
Clamped Inductive Load Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
VGE  
±20  
V
mJ  
W
EARV  
5.0  
Reverse Voltage Avalanche Energy  
Power Dissipation  
PD @TC = 25°C  
60  
24  
PD @TC = 100°C  
Power Dissipation  
TJ  
-55 to + 150  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
N
300 (0.063 in.) (1.6mm from case)  
10lb in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
2.1  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
Rθ  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
6.0 (0.21)  
–––  
40  
–––  
°C/W  
g (oz)  
CS  
Rθ  
JA  
Wt  
www.irf.com  
1
07/11/07  
12345678

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IRG4PC20UPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4BC20UPBF INFINEON

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 UltraFast Speed IGBT

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC30 INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRG4PC30FD INFINEON

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