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IRG4PC30S-E

更新时间： 2024-09-27 20:03:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	125K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRG4PC30S-E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	34 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1550 ns
标称接通时间 (ton)：	40 ns	Base Number Matches：	1

IRG4PC30S-E 数据手册

PD - 91586A

IRG4PC30S

Standard Speed IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• Standard: Optimized for minimum saturation

voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

_CES= 600V

_{CE(on) typ.}= 1.4V

• Industry standard TO-247AC package

@V_GE= 15V, I_C= 18A

n-channel

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

• IGBTs optimized for specified application conditions

• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBTs

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

V_GE

± 20

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

100

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

300 (0.063 in. (1.6mm) from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

1.2

Units

°C/W

g (oz)

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.24

–––

6 (0.21)

–––

www.irf.com

4/15/2000

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4PC30S-EPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRG4PC30SPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC30U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC30UD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4PC30UD-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30UDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC30U-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30U-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30UPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC30W	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)max.=2.70V, @Vge=15V, Ic=12A)

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