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IRG4PC40SPBF

更新时间： 2024-01-07 01:42:44
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
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8页 628K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT

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PD -95171  
IRG4PC40SPbF  
Standard Speed IGBT  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR  
C
Features  
• Standard: Optimized for minimum saturation  
voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
VCES =600V  
V
CE(on) typ. = 1.32V  
G
• Industry standard TO-247AC package  
• Lead-Free  
@VGE = 15V, IC = 31A  
E
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available  
• IGBT's optimized for specified application conditions  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBT's  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
600  
V
IC @ TC = 25°C  
60  
IC @ TC = 100°C  
31  
120  
A
ICM  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
120  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
15  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
160  
W
°C  
PD @ TC = 100°C  
Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.77  
–––  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
6 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
04/23/04  
12345678

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IRG4PC40SPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC50WPBF INFINEON

类似代替

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IRG4PC40UDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50UDPBF INFINEON

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 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC40U INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC40UD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)ty
IRG4PC40UD2 INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40UD-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40UD-EPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC40UDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC40U-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
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 		暂无描述
IRG4PC40UPBF INFINEON

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IRG4PC40W INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)

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