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IRG4PC40K

更新时间： 2024-09-26 22:32:27
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 121K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

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IRG4PC40K 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-3P, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.01其他特性：ULTRA FAST
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：42 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：340 ns标称接通时间 (ton)：48 ns
Base Number Matches：1

IRG4PC40K 数据手册

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PD - 9.1585B  
IRG4PC40K  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high  
operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit  
Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V  
• Generation 4 IGBT design provides higher efficiency  
than Generation 3  
VCES = 600V  
V
CE(on) typ. = 2.1V  
G
• Industry standard TO-247AC package  
@VGE = 15V, IC = 25A  
E
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available  
• IGBTs optimized for specified application conditions  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
42  
IC @ TC = 100°C  
25  
A
ICM  
84  
ILM  
84  
tsc  
10  
±20  
µs  
V
VGE  
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
15  
mJ  
W
PD @ TC = 25°C  
160  
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.77  
–––  
40  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
6 (0.21)  
–––  
4/15/2000  
12345678

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IRG4PC40K 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC40KPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT

与IRG4PC40K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC40KD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4PC40KD-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40KDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC40KPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PC40MD INFINEON

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 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40S INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A)
IRG4PC40SD INFINEON

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 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)ty

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