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IRG4PC40KPBF

更新时间： 2024-09-27 04:44:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 236K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT

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IRG4PC40KPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5
其他特性：ULTRA FAST外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：42 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：210 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：340 ns
标称接通时间 (ton)：48 nsBase Number Matches：1

IRG4PC40KPBF 数据手册

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PD - 95646  
IRG4PC40KPbF  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR  
C
Features  
• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high  
operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit  
Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V  
• Generation 4 IGBT design provides higher efficiency  
than Generation 3  
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 2.1V  
G
• Industry standard TO-247AC package  
• Lead-Free  
@VGE = 15V, IC = 25A  
E
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available  
• IGBTs optimized for specified application conditions  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
42  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
25  
A
ICM  
84  
ILM  
84  
tsc  
10  
µs  
V
VGE  
±20  
15  
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
mJ  
W
PD @ TC = 25°C  
160  
65  
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
TJ  
Operating  
Junction  
and-55  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.77  
–––  
40  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
6 (0.21)  
–––  
7/26/04  
12345678

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IRG4PC40KPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC40KDPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC40WPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50UDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG4PC40KPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC40MD INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40S INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A)
IRG4PC40SD INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40SPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC40U INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC40UD INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)ty
IRG4PC40UD2 INFINEON

获取价格

 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40UD-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40UD-EPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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