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IRG4PC40FD

更新时间： 2024-09-26 22:32:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 216K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)

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IRG4PC40FD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.01Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：49 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：670 ns
标称接通时间 (ton)：96 nsBase Number Matches：1

IRG4PC40FD 数据手册

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PD 91464B  
IRG4PC40FD  
Fast CoPack IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• Fast: Optimized for medium operating  
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20  
kHz in resonant mode).  
VCES = 600V  
V
CE(on) typ. = 1.50V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
G
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
@VGE = 15V, IC = 27A  
E
n-channel  
• Industry standard TO-247AC package  
Benefits  
• Generation -4 IGBT's offer highest efficiencies  
available  
• IGBT's optimized for specific application conditions  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBT's . Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBT's  
Absolute Maximum Ratings  
TO-247AC  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
IC @ TC = 25°C  
49  
IC @ TC = 100°C  
27  
ICM  
200  
A
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
200  
IF @ TC = 100°C  
15  
IFM  
200  
VGE  
± 20  
160  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
W
PD @ TC = 100°C  
65  
TJ  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Min.  
------  
------  
------  
-----  
Typ.  
------  
------  
0.24  
Max.  
0.77  
1.7  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
°C/W  
------  
40  
-----  
------  
6 (0.21)  
------  
g (oz)  
www.irf.com  
1
12/30/00  
1234567...10

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IRG4PC40FD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC40FDPBF INFINEON

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 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG4PC40FD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC40FD-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 49A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC40FDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC40FPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLARTRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC40K INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)
IRG4PC40KD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
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 		Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PC40S INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A)

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