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IRG4PC30K-EPBF PDF预览

IRG4PC30K-EPBF

更新时间： 2024-09-27 21:19:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 219K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRG4PC30K-EPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.54其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：28 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：380 ns标称接通时间 (ton)：54 ns
Base Number Matches：1

IRG4PC30K-EPBF 数据手册

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PD - 91588A  
IRG4PC30K  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
C
• High short circuit rating optimized for motor control,  
VCES = 600V  
t
sc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,  
GE = 15V  
V
• Combines low conduction losses with high  
switching speed  
V
CE(on) typ. = 2.21V  
G
• Latest generation design provides tighter parameter  
distribution and higher efficiency than previous  
generations  
@VGE = 15V, IC = 16A  
E
n-channel  
Benefits  
• As a Freewheeling Diode we recommend our  
HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for  
minimum EMI / Noise and switching losses in the  
Diode and IGBT  
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power  
density motor controls possible  
• This part replaces the IRGPC30K and IRGPC30M  
devices  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
28  
IC @ TC = 100°C  
16  
A
ICM  
58  
ILM  
58  
10  
tsc  
µs  
V
VGE  
±20  
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
260  
mJ  
W
PD @ TC = 25°C  
100  
PD @ TC = 100°C  
42  
TJ  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
1.2  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
40  
–––  
6 (0.21)  
–––  
www.irf.com  
1
4/15/2000  
12345678

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与IRG4PC30K-EPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC30KPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC30S INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4PC30S-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30S-EPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRG4PC30SPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC30U INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4PC30UD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4PC30UD-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30UDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC30U-E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,

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