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IRG4PC30KPBF

更新时间： 2024-09-27 04:44:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 252K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4PC30KPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.01
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：28 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：42 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：380 ns标称接通时间 (ton)：54 ns
Base Number Matches：1

IRG4PC30KPBF 数据手册

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PD - 94921  
IRG4PC30KPbF  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
C
• High short circuit rating optimized for motor control,  
tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,  
VGE = 15V  
VCES = 600V  
• Combines low conduction losses with high  
switching speed  
VCE(on) typ. = 2.21V  
G
• Latest generation design provides tighter parameter  
distribution and higher efficiency than previous  
generations  
@VGE = 15V, IC = 16A  
E
n-channel  
• Lead-Free  
Benefits  
• As a Freewheeling Diode we recommend our  
HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for  
minimum EMI / Noise and switching losses in the  
Diode and IGBT  
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power  
density motor controls possible  
• This part replaces the IRGPC30K and IRGPC30M  
devices  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
28  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
16  
A
ICM  
ILM  
58  
58  
tsc  
10  
µs  
V
VGE  
EARV  
±20  
260  
100  
42  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating  
mJ  
W
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
TJ  
Junction  
and-55  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
1.2  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
40  
–––  
6 (0.21)  
–––  
www.irf.com  
1
12/30/03  
12345678

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IRG4PC30KPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC30K INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC30S INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4PC30S-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30S-EPBF INFINEON

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 		暂无描述
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