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IRG4PC30FD

更新时间： 2024-09-26 22:32:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管开关功率控制栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 212K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)

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IRG4PC30FD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-3P, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.01其他特性：FAST SWITCHING, ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：31 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：620 ns
标称接通时间 (ton)：69 nsBase Number Matches：1

IRG4PC30FD 数据手册

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PD 91460B  
IRG4PC30FD  
Fast CoPack IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• Fast: Optimized for medium operating  
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20  
kHz in resonant mode).  
VCES = 600V  
V
CE(on) typ. = 1.59V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
G
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
@VGE = 15V, IC = 17A  
E
n-channel  
• Industry standard TO-247AC package  
Benefits  
• Generation -4 IGBT's offer highest efficiencies  
available  
• IGBT's optimized for specific application conditions  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBT's . Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBT's  
Absolute Maximum Ratings  
TO-247AC  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
IC @ TC = 25°C  
31  
IC @ TC = 100°C  
17  
ICM  
120  
A
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
120  
IF @ TC = 100°C  
12  
IFM  
120  
VGE  
± 20  
100  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
W
PD @ TC = 100°C  
42  
TJ  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.2  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
–––  
2.5  
0.24  
–––  
40  
°C/W  
–––  
6 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
12/30/00  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC30FD-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30FDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack 1GBT
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 		INSULATED GATE BIPOALR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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