IRG4PC30KD

更新时间： 2024-09-26 22:32:27

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10页	181K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

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IRG4PC30KD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	28 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	370 ns	标称接通时间 (ton)：	100 ns
Base Number Matches：	1

IRG4PC30KD 数据手册

PD -91587A

IRG4PC30KD

Short Circuit Rated

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH

ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features

UltraFast IGBT

• High short circuit rating optimized for motor control,

t_sc=10µs, @360V V_CE(start), T_J= 125°C,

V_CES= 600V

_GE= 15V

_{CE(on) typ.}= 2.21V

• Combines low conduction losses with high

switching speed

• Tighter parameter distribution and higher efficiency

than previous generations

@V_GE= 15V, I_C= 16A

• IGBT co-packaged with HEXFRED^TMultrafast,

ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

n-channel

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density

motor controls possible

• HEXFRED^TMdiodes optimized for performance with IGBTs.

Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and

switching losses

• This part replaces the IRGBC30KD2 and IRGBC30MD2

products

• For hints see design tip 97003

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

_C@ T_C= 25°C

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current

Diode Continuous Forward Current

Diode Maximum Forward Current

Short Circuit Withstand Time

Gate-to-Emitter Voltage

600

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

I_LM

I_F@ T_C= 100°C

I_FM

t_sc

µs

V_GE

± 20

P_D@ T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

100

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1 N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Min.

–––

Typ.

–––

Max.

1.2

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Junction-to-Case - IGBT

Junction-to-Case - Diode

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

–––

2.5

°C/W

0.24

–––

6 (0.21)

–––

g (oz)

www.irf.com

4/15/2000

12 3 4 5 6 7...10

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IRG4PC30KD 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4PC30KDPBF	INFINEON	完全替代	INSULATED GATE BIPOALR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG4PC30KD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4PC30KD-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30KD-EPBF	INFINEON	获取价格	28A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN
IRG4PC30KDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOALR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC30K-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30K-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30KPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC30S	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4PC30S-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30S-EPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRG4PC30SPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT

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