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IRG4PC30KD-E PDF预览

IRG4PC30KD-E

更新时间： 2024-09-27 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 184K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRG4PC30KD-E 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：TO-247AD, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.63Is Samacsys：N
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：28 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：370 ns
标称接通时间 (ton)：100 nsBase Number Matches：1

IRG4PC30KD-E 数据手册

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PD -91587A  
IRG4PC30KD  
Short Circuit Rated  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
UltraFast IGBT  
C
• High short circuit rating optimized for motor control,  
tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,  
VCES = 600V  
V
GE = 15V  
V
CE(on) typ. = 2.21V  
• Combines low conduction losses with high  
switching speed  
G
• Tighter parameter distribution and higher efficiency  
than previous generations  
@VGE = 15V, IC = 16A  
E
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultrasoft recovery antiparallel diodes  
Benefits  
n-channel  
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density  
motor controls possible  
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.  
Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and  
switching losses  
• This part replaces the IRGBC30KD2 and IRGBC30MD2  
products  
• For hints see design tip 97003  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
C @ TC = 25°C  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
I
28  
IC @ TC = 100°C  
16  
ICM  
58  
A
ILM  
58  
IF @ TC = 100°C  
12  
IFM  
58  
10  
tsc  
µs  
V
VGE  
± 20  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
100  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
42  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
1.2  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
–––  
2.5  
°C/W  
0.24  
–––  
40  
–––  
6 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
4/15/2000  
1234567...11

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与IRG4PC30KD-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PC30KD-EPBF INFINEON

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 		28A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN
IRG4PC30KDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOALR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC30K-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30K-EPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30KPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC30S INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.4V, @Vge=15V, Ic=18A)
IRG4PC30S-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30S-EPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRG4PC30SPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
IRG4PC30U INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)

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