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IRG4PC30F-E

更新时间： 2024-09-27 18:33:15

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅开关功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	150K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRG4PC30F-E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	其他特性：	FAST SWITCHING
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	31 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	640 ns	标称接通时间 (ton)：	36 ns
Base Number Matches：	1

IRG4PC30F-E 数据手册

PD 91459B

IRG4PC30F

Fast Speed IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• Fast: Optimized for medium operating

frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20

kHz in resonant mode).

V_CES=600V

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

Generation 3

_{CE(on) typ.}= 1.59V

@V_GE= 15V, I_C= 17A

• Industry standard TO-247AC package

n-channel

Benefits

• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available

• IGBT's optimized for specified application conditions

• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent

industry-standard Generation 3 IR IGBT's

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

120

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

120

V_GE

± 20

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 25°C

100

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

300 (0.063 in. (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

1.2

Units

°C/W

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.24

–––

6 (0.21)

–––

g (oz)

www.irf.com

1229//00

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4PC30F-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30FPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC30K	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4PC30KD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4PC30KD-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30KD-EPBF	INFINEON	获取价格	28A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN
IRG4PC30KDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOALR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC30K-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30K-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
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