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IRG4IBC20UDPBF

更新时间： 2024-09-27 03:24:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
11页 310K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4IBC20UDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.68
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：11.4 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：170 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：34 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：320 ns标称接通时间 (ton)：55 ns
Base Number Matches：1

IRG4IBC20UDPBF 数据手册

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PD -94917  
IRG4IBC20UDPbF  
UltraFast CoPack IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• 2.5kV, 60s insulation voltage ꢂ  
• 4.8 mm creapage distance to heatsink  
• UltraFast: Optimized for high operating  
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 1.85V  
@VGE = 15V, IC = 6.5A  
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200  
G
kHz in resonant mode  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultrasoft recovery antiparallel diodes  
E
n-channel  
• Tighter parameter distribution  
• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM  
outline  
• Lead-Free  
Benefits  
• Simplified assembly  
• Highest efficiency and power density  
• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes  
switching losses and EMI  
TO-220 FULLPAK  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-to-Emitter Voltage  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
IC @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current ꢀ  
Clamped Inductive Load Current ꢁ  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
RMS Isolation Voltage, Terminal to Caseꢂ  
Gate-to-Emitter Voltage  
11.4  
6.0  
IC @ TC = 100°C  
ICM  
52  
A
ILM  
52  
IF @ TC = 100°C  
6.5  
IFM  
52  
Visol  
VGE  
2500  
± 20  
34  
V
P
D @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
14  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
3.7  
5.1  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
°C/W  
–––  
65  
2.0 (0.07)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
12/30/03  
1234567...11

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IRG4IBC20UDPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4BC30UDPBF INFINEON

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