IRG4IBC20W

更新时间： 2024-09-26 22:05:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4IBC20W 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-220, FULL PACK-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.27	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	11.8 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	300 ns	标称接通时间 (ton)：	36 ns
Base Number Matches：	1

IRG4IBC20W 数据手册

PD 91785A

IRG4IBC20W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• Designed expressly for Switch-Mode Power

Supply and PFC (power factor correction)

applications

V_CES=600V

• 2.5kV, 60s insulation voltage

• Industry-benchmark switching losses improve

efficiency of all power supply topologies

• 50% reduction of Eoff parameter

_{CE(on) typ.}= 2.16V

@V_GE= 15V, I_C= 6.5A

• Low IGBT conduction losses

• Latest-generation IGBT design and construction offers

tighter parameters distribution, exceptional reliability

• Industry standard Isolated TO-220 Fullpak^TM

outline

n-channel

Benefits

• Lower switching losses allow more cost-effective

operation than power MOSFETs up to 150 kHz

("hard switched" mode)

• Of particular benefit to single-ended converters and

boost PFC topologies 150W and higher

• Low conduction losses and minimal minority-carrier

recombination make these an excellent option for

resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)

TO-220 FULLPAK

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

600

I_C@ T_C= 25°C

11.8

I_C@ T_C= 100°C

6.2

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

V_GE

± 20

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

200

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

300 (0.063 in. (1.6mm) from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

3.7

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Case - IGBT

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

–––

°C/W

2.0 (0.07)

–––

g (oz)

www.irf.com

12/30/00

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRG4IBC20WPBF	INFINEON	完全替代	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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