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IRG4MC50F

更新时间： 2024-09-27 11:09:59

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管栅
页数	文件大小	规格书
8页	144K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4MC50F 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.05
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	35 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	300 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	25 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRG4MC50F 数据手册

PD -94274A

IRG4MC50F

Fast Speed IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• Electrically Isolated and Hermetically Sealed

• Simple Drive Requirements

• Latch-proof

_CES= 600V

• Fast Speed operation 3 kHz - 8 kHz

• High operating frequency

V_{CE(on) max}= 2.0V

• Switching-loss rating includes all "tail" losses

• Ceramic eyelets

@V_GE= 15V, I_C= 30A

n-channel

Benefits

• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available

• IGBT's optimized for specified application conditions

• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent

IR Hi-Rel Generation 3 IGBT's

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have

higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at

the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power

MOSFET. They provide substantial benefits to a host of high-voltage, high-

current applications.

TO-254AA

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

600

35*

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current ➀

Clamped Inductive Load Current ➀

Gate-to-Emitter Voltage

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

140

± 20

150

I_LM

V_GE

P_D@ T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

Weight

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063in./1.6mm from case for 10s)

9.3 (typical)

Thermal Resistance

Parameter

Min Typ Max Units

Test Conditions

°C/W

Junction-to-Case

—

0.83

thJC

* Current is limited by internal wire diameter

www.irf.com

02/08/02

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4MC50U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4P254S	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR
IRG4P254S-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 250V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
IRG4P254SPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC20UPBF	INFINEON	获取价格	UltraFast Speed 1GBT (VCES=600V , VCE(on)typ.=1.85V , @VGE=15V , Ic=6.5A )
IRG4PC30	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRG4PC30F	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
IRG4PC30FD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4PC30FD-E	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PC30FDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack 1GBT

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