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IRG4IBC30WPBF

更新时间： 2024-09-26 22:05:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 255K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4IBC30WPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：17 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：100 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：45 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：300 ns标称接通时间 (ton)：41 ns
Base Number Matches：1

IRG4IBC30WPBF 数据手册

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PD - 95326  
IRG4IBC30WPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
• Designed expressly for Switch-Mode Power  
C
Supply and PFC (power factor correction)  
applications  
VCES=600V  
• 2.5kV, 60s insulation voltage †  
• Industry-benchmark switching losses improve  
efficiency of all power supply topologies  
• 50% reduction of Eoff parameter  
• Low IGBT conduction losses  
VCE(on) typ. = 2.1V  
G
@VGE = 15V, IC = 12 A  
E
• Latest-generation IGBT design and construction offers  
tighter parameters distribution, exceptional reliability  
• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM  
outline  
n-channel  
• Lead-Free  
Benefits  
• Lower switching losses allow more cost-effective  
operation than power MOSFETs up to 150 kHz  
("hard switched" mode)  
• Of particular benefit to single-ended converters and  
boost PFC topologies 150W and higher  
• Low conduction losses and minimal minority-carrier  
recombination make these an excellent option for  
resonant mode switching as well (up to >>300 kHz)  
Absolute Maximum Ratings  
TO-220 FULLPAK  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
600  
V
IC @ TC = 25°C  
17  
IC @ TC = 100°C  
8.4  
A
ICM  
92  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
92  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
180  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
45  
18  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
2.8  
65  
Units  
RθJC  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
°C/W  
2.0 (0.07)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
6/1/04  
12345678

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IRG4IBC30WPBF 替代型号

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IRG4IBC30W INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4MC30F INFINEON

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 		Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4MC30FPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254AA, HERMETIC
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
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 		UltraFast Speed 1GBT (VCES=600V , VCE(on)typ.=1.85V , @VGE=15V , Ic=6.5A )

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