IRG4IBC20UD

更新时间： 2024-09-26 22:05:03

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4IBC20UD 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	11.4 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	320 ns
标称接通时间 (ton)：	55 ns	Base Number Matches：	1

IRG4IBC20UD 数据手册

PD -91752A

IRG4IBC20UD

UltraFast CoPack IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH

ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features

• 2.5kV, 60s insulation voltage ꢀ

• 4.8 mm creapage distance to heatsink

• UltraFast: Optimized for high operating

V_CES= 600V

V_{CE(on) typ.}= 1.85V

frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200

kHz in resonant mode

• IGBT co-packaged with HEXFRED^TMultrafast,

ultrasoft recovery antiparallel diodes

@V_GE= 15V, I_C= 6.5A

n-channel

• Tighter parameter distribution

• Industry standard Isolated TO-220 Fullpak^TM

outline

Benefits

• Simplified assembly

• Highest efficiency and power density

• HEXFRED^TMantiparallel Diode minimizes

switching losses and EMI

TO-220 FULLPAK

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

600

I_C@ T_C= 25°C

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current

Diode Continuous Forward Current

Diode Maximum Forward Current

RMS Isolation Voltage, Terminal to Caseꢀ

Gate-to-Emitter Voltage

11.4

I_C@ T_C= 100°C

6.0

I_CM

I_LM

I_F@ T_C= 100°C

6.5

I_FM

Visol

V_GE

2500

_D@ T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1 N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

3.7

5.1

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Case - IGBT

Junction-to-Case - Diode

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

°C/W

–––

2.0 (0.07)

–––

g (oz)

www.irf.com

4/24/2000

12 3 4 5 6 7...10

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