IRG4IBC20FD

更新时间： 2024-09-26 22:32:23

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4IBC20FD 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-220, FULL PACK-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.27	其他特性：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	14.3 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	610 ns	标称接通时间 (ton)：	63 ns
Base Number Matches：	1

IRG4IBC20FD 数据手册

PD -91750A

IRG4IBC20FD

Fast CoPack IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH

ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features

• Very Low 1.66V votage drop

• 2.5kV, 60s insulation voltage ꢀ

• 4.8 mm creapage distance to heatsink

V_CES= 600V

V_{CE(on) typ.}= 1.66V

• Fast: Optimized for medium operating

frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20

kHz in resonant mode).

@V_GE= 15V, I_C= 9.0A

• IGBT co-packaged with HEXFRED^TMultrafast,

n-channel

ultrasoft recovery antiparallel diodes

• Tighter parameter distribution

• Industry standard Isolated TO-220 Fullpak^TM

outline

Benefits

• Simplified assembly

• Highest efficiency and power density

• HEXFRED^TMantiparallel Diode minimizes

switching losses and EMI

TO-220 FULLPAK

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

_C@ T_C= 25°C

Collector-to-Emitter Voltage

600

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

Clamped Inductive Load Current

Diode Continuous Forward Current

Diode Maximum Forward Current

RMS Isolation Voltage, Terminal to Caseꢀ

Gate-to-Emitter Voltage

14.3

I_C@ T_C= 100°C

7.7

I_CM

I_LM

I_F@ T_C= 100°C

6.5

I_FM

Visol

V_GE

2500

P_D@ T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1 N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

3.7

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Case - IGBT

Junction-to-Case - Diode

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

–––

5.1

°C/W

–––

2.0 (0.07)

–––

g (oz)

www.irf.com

4/24/00

12 3 4 5 6 7...10

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