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IRG4IBC20KD

更新时间： 2024-09-26 22:05:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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10页 200K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4IBC20KD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-220, FULL PACK-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.27其他特性：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：11.5 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：380 ns标称接通时间 (ton)：88 ns
Base Number Matches：1

IRG4IBC20KD 数据手册

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PD -91689A  
IRG4IBC20KD  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
Features  
C
• High switching speed optimized for up to 25kHz  
with low VCE(on)  
VCES = 600V  
• Short Circuit Rating 10µs @ 125°C, VGE = 15V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
V
CE(on) typ. = 2.27V  
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generation  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
G
@VGE = 15V, IC = 6.3A  
E
n-channel  
• Industry standard TO-220 FULLPAK  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available  
maximizing the power density of the system  
• IGBTs optimized for specific application conditions  
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.  
Minimized recovery characteristics reduce noise EMI  
• Designed to exceed the power handling capability of  
equivalent industry-standard IGBTs  
TO-220 FULLPAK  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-to-Emitter Voltage  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
C @ TC = 25°C  
I
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
11.5  
6.3  
IC @ TC = 100°C  
ICM  
23  
A
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
RMS Isolation Voltage, Terminal to Case, t = 1 min  
Gate-to-Emitter Voltage  
24  
IF @ TC = 100°C  
6.3  
IFM  
24  
tsc  
10  
µs  
VISOL  
2500  
± 20  
34  
V
VGE  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
14  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
3.7  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
–––  
5.5  
–––  
65  
2.0 (0.07)  
–––  
www.irf.com  
1
4/24/2000  
1234567...10

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IRG4IBC20KD 替代型号

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