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IRG4IBC10UD

更新时间： 2024-09-26 22:05:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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10页 192K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4IBC10UD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-220, FULL PACK-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.17其他特性：ULTRA FAST
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：6.8 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：345 ns标称接通时间 (ton)：56 ns
Base Number Matches：1

IRG4IBC10UD 数据手册

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PD - 93765  
IRG4IBC10UD  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
UltraFast Co-Pack IGBT  
C
VCES = 600V  
Features  
• UltraFast: Optimized for high operating up to  
80 kHz in hard switching, > 200 kHz in  
resonant mode  
VCE(on) typ. = 2.15V  
@VGE = 15V, IC = 5.0A  
G
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generation  
E
tf(typ.) = 140ns  
N-channel  
®
• IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use  
in bridge configurations  
• Industry standard TO-220 Full-Pak  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available  
• IGBTs optimized for specific application conditions  
®
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs  
Minimized recovery characteristics require less/no snubbing  
TO-220Full-Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
6.8  
IC @ TC = 100°C  
3.9  
ICM  
27  
A
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
RMS Isolated Voltage, Terminal to case, t=1min  
Gate-to-Emitter Voltage  
27  
3.9  
IF @ TC = 100°C  
IFM  
27  
VISOL  
2500  
± 20  
V
VGE  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
25  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
10  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
5.0  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
–––  
9.0  
°C/W  
–––  
65  
2.1 (0.075)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
10/27/99  
1234567...10

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IRG4IBC10UD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4IBC10UDPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGB

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