IRG4CH40UBPBF

更新时间： 2024-11-02 13:08:51

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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IRG4CH40UBPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	UNCASED CHIP, O-XUUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	其他特性：	ULTRA FAST SPEED
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	O-XUUC-N	元件数量：	1
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRG4CH40UBPBF 数据手册

PD-91799A

IRG4CH40SB

IRG4CH40SB IGBT Die in Wafer Form

1200 V

Size 4

Standard Speed

6" Wafer

Electrical Characteristics ( Wafer Form )

Parameter

V_{CE (on)}

V_(BR)CES

V_GE(th)

I_CES

Description

Guaranteed (Min/Max)

Test Conditions

I_C= 10A, T_J= 25°C, V_GE= 15V

T_J= 25°C, I_CES= 250µA, V_GE= 0V

V_GE= V_CE, T_J=25°C, I_C=250µA

T_J= 25°C, V_CE= 1200V

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Colletor-to-Emitter Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

4.5V Max.

1200V Min.

3.0V Min., 6.0V Max.

300 µA Max.

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-to-Emitter Leakage Current

I_GES

±11 µA Max.

T_J= 25°C, V_GE= +/- 20V

Mechanical Data

Nominal Backmetal Composition, Thickness:

Nominal Front Metal Composition, Thickness:

Dimensions:

Cr-NiV-Ag ( 1kA-2kA-2.5kA )

99% Al, 1% Si (4 microns)

0.170" x 0.243"

Wafer Diameter:

150mm, with std. < 100 > flat

.015" + / -.003"

Wafer thickness:

Relevant Die Mechanical Dwg. Number

Minimum Street Width

01-5242

100 Microns

Reject Ink Dot Size

0.25mm Diameter Minimum

Consistent throughout same wafer lot

Store in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

For optimum electrical results, die attach

temperature should not exceed 300C

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment:

Recommended Die Attach Conditions

Reference Standard IR packaged part ( for design ) : IRG4PH40S

NOTES:

Die Outline

1. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS (INCHES)

2. CONTROLLING DIMENSION: (INCH).

3. LETTER DESIGNATION:

S = SOURCE

G = GATE

SK = SOURCE KELVIN

IS = CURRENT SENSE

4. DIMENSIONAL TOLERANCES:

BONDING PADS: < 0.635 TOLERANCE = +/- 0.013

WIDTH

LENGTH

OVERALL DIE:

WIDTH

< (.0250) TOLERANCE = +/- (.0005)

< 0.635 TOLERANCE = +/- 0.025

< (.0250) TOLERANCE = +/- (.0010)

< 1.270 TOLERANCE = +/- 0.102

< (.050) TOLERANCE = +/- (.004)

< 0.635 TOLERANCE = +/- 0.203

< (.050) TOLERANCE = +/- (.008)

LENGTH

5. UNLESS OTHERWISE NOTED ALL DIE ARE GEN III

www.irf.com

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与IRG4CH40UBPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4CH50KB	ETC	获取价格
IRG4CH50KBPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6 INCH, WAFER
IRG4CH50SB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| CHIP
IRG4CH50UB	ETC	获取价格
IRG4IBC10UD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC10UDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast Co-Pack IGB
IRG4IBC20FD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20FDPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20KD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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