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IRG4CH30KBPBF

更新时间： 2024-09-27 19:59:47

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英飞凌 - INFINEON		电动机控制栅晶体管
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描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, 6 INCH, WAFER

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IRG4CH30KBPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	UNCASED CHIP, O-XUUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	其他特性：	ULTRA FAST SPEED
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	O-XUUC-N	元件数量：	1
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRG4CH30KBPBF 数据手册

PD-91767

IRG4CH30KB

IRG4CH30KB IGBT Die in Wafer Form

1200 V

Size 3

Ultra Fast Speed

Short Circuit Rated

6" Wafer

Electrical Characteristics ( Wafer Form )

Parameter

V_{CE (on)}

V_(BR)CES

V_GE(th)

I_CES

Description

Guaranteed (Min/Max)

Test Conditions

I_C= 10A, T_J= 25°C, V_GE= 15V

T_J= 25°C, I_CES= 250µA, V_GE= 0V

V_GE= V_CE, T_J=25°C, I_C=250µA

T_J= 25°C, V_CE= 1200V

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

4.5V Max.

1200V Min.

3.0V Min., 6.0V Max.

300 µA Max.

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-to-Emitter Leakage Current

I_GES

± 11 µA Max.

T_J= 25°C, V_GE= +/- 20V

Mechanical Data

Norminal Backmetal Composition, Thickness:

Norminal Front Metal Composition, Thickness:

Dimensions:

Cr-Ni / V-Ag ( 1kA-2kA-.2.5kA )

99% Al, 1% Si (4 microns)

0.133" x 0.195"

Wafer Diameter:

150mm, with std. < 100 > flat

.015" + / -.003"

Wafer thickness:

Relevant Die Mechanical Dwg. Number

MinimumStreetWidth

01-5267

100 Microns

Reject Ink Dot Size

0.25mmDiameterMinimum

Consistent throughout same wafer lot

Store in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

For optimum electrical results, die attach

temperature should not exceed 300C

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment:

Recommended Die Attach Conditions

Reference Standard IR packaged part ( for design ) : IRG4PH30K (When available)

Die Outline

9/24/98

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