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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFP460PPBF
IRFP460PPBF PDF预览

IRFP460PPBF

更新时间： 2024-09-13 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 136K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, TO-247AC, 3 PIN

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IRFP460PPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-247AC包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.14雪崩能效等级（Eas）：960 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.27 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFP460PPBF 数据手册

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IRFP460, SiHFP460  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
500  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Isolated Central Mounting Hole  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.27  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
210  
29  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
110  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-247  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because its isolated mounting hole.  
It also provides greater creepage distances between pins to  
meet the requirements of most safety specifications.  
G
S
D
S
G
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP460PbF  
SiHFP460-E3  
IRFP460  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP460  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
500  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
20  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
13  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
80  
Linear Derating Factor  
2.2  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
960  
20  
EAR  
28  
280  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
3.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 4.3 mH, RG = 25 Ω, IAS = 20 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 20 A, dI/dt ≤ 160 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91237  
S-81360-Rev. A, 28-Jul-08  
www.vishay.com  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP462 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247
IRFP4668 INFINEON

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 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFP4668PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFP470 IXYS

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode MegaMOS FET
IRFP4710 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.014ohm, Id=72A)
IRFP4710PBF INFINEON

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 		HEXFETPower MOSFET
IRFP4768 INFINEON

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 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFP4N100Q IXYS

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 		Transistor

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