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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFP9140PBF | VISHAY |
功能相似  |
Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP9140N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
|
| IRFP9140NHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFP9140NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFP9140PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFP9140PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFP9140R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP9141 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9141R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247 |
|
| IRFP9142 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9142R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247 |
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