5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP9130 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9131 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9132 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9133 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9140 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9140 | INTERSIL |
获取价格 |
19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
|
| IRFP9140 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP9140N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
|
| IRFP9140NHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFP9140NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
