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IRFP7530PBF

更新时间： 2024-11-20 19:58:51

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英飞凌 - INFINEON		/
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10页	527K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IRFP7530PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.71
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	281 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	341 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRFP7530PBF 数据手册

StrongIRFET™

IRFP7530PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Application

 Brushed Motor drive applications

 BLDC Motor drive applications

Battery powered circuits

 Half-bridge and full-bridge topologies

 Synchronous rectifier applications

 Resonant mode power supplies

 OR-ing and redundant power switches

 DC/DC and AC/DC converters

 DC/AC Inverters

V_DSS

60V

R_DS(on)typ.

max

1.65m

2.00m

281A

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

195A

Benefits

 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

 Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

 Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

 Lead-Free, RoHS Compliant

TO-247

IRFP7530PbF

Gate

Drain

Source

Base part number

Package Type

Standard Pack

Form

Orderable Part Number

Quantity

IRFP7530PbF

TO-247

Tube

IRFP7530PbF

300

= 100A

Limited by package

250

200

150

100

= 125°C

= 25°C

10 12 14 16 18 20

100

125

150

175

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

www.irf.com

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November 27, 2013

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