IRFP9140

更新时间： 2024-02-18 08:11:54

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFP9140 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	19 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

IRFP9140 数据手册

IRFP9140, SiHFP9140

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 100

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

RoHS

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.20

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

• Isolated Central Mounting Hole

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

TO-247

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because of its isolated mouting hole.

It also provides greater creepage distance between pins to

meet the requirements of most safety specifications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP9140PbF

SiHFP9140-E3

IRFP9140

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP9140

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 21

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

- 15

Pulsed Drain Current^a

I_DM

- 84

Linear Derating Factor

1.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

960

- 21

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

180

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.5

- 55 to + 175

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 3.3 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 21 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 21 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91238

S-Pending-Rev. A, 26-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFP9140PBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP9140N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRFP9140NHR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFP9140NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP9140PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP9140PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP9140R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-247
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IRFP9141R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-247
IRFP9142	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9142R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-247

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