IRFP9140

更新时间： 2024-11-24 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1449K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFP9140 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	960 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	21 A	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	180 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFP9140 数据手册

IRFP9140, SiHFP9140

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 100

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

RoHS

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.20

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

• Isolated Central Mounting Hole

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

TO-247

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because of its isolated mouting hole.

It also provides greater creepage distance between pins to

meet the requirements of most safety specifications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP9140PbF

SiHFP9140-E3

IRFP9140

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP9140

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 21

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

- 15

Pulsed Drain Current^a

I_DM

- 84

Linear Derating Factor

1.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

960

- 21

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

180

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.5

- 55 to + 175

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 3.3 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 21 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 21 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91238

S-Pending-Rev. A, 26-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFP9140 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFP9140PBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

与IRFP9140相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP9140N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRFP9140NHR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFP9140NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP9140PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP9140PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP9140R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-247
IRFP9141	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9141R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-247
IRFP9142	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9142R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-247

与IRFP9140相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFP9140

IRFP9140 技术参数

IRFP9140 数据手册

IRFP9140 替代型号

与IRFP9140相关器件

与IRFP9140相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFP9140

IRFP9140 技术参数

IRFP9140 数据手册

IRFP9140 替代型号

与IRFP9140相关器件

与IRFP9140相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？