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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.86 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1010 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 580 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 380 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFP4668PBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFP90N20D | INFINEON |
功能相似 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP9123 | SAMSUNG |
获取价格 |
Transistor |
|
| IRFP9130 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9131 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9132 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9133 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9140 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRFP9140 | INTERSIL |
获取价格 |
19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
|
| IRFP9140 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP9140N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
|
| IRFP9140NHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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