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IRFP90N20D

更新时间： 2024-11-23 22:32:03

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英飞凌 - INFINEON		/
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8页	91K
描述
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=94A)

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IRFP90N20D 数据手册

PD - 94301A

SMPS MOSFET

IRFP90N20D

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l High frequency DC-DC converters

V_DSS

200V

R_DS(on)max

I_D

94A

0.023Ω

Benefits

l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce

Switching Losses

l Fully Characterized Capacitance Including

Effective C_OSSto Simplify Design, (See

App. Note AN1001)

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

94o

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

380

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

580

W/°C

Linear Derating Factor

3.8

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

6.7

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torqe, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Junction-to-Case

–––

0.24

–––

0.26

–––

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

°C/W

Notes through o are on page 8

www.irf.com

09/27/01

12 3 4 5 6 7 8

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