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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFP9140N
IRFP9140N PDF预览

IRFP9140N

更新时间： 2024-02-12 17:20:09
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 144K
描述
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)

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IRFP9140N 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.91
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

IRFP9140N 数据手册

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PD - 9.1492A  
IRFP9140N  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l P-Channel  
D
VDSS = -100V  
RDS(on) = 0.117Ω  
l Fast Switching  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = -23A  
S
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use  
in a wide variety of applications.  
The TO-247 package is preferred for commercial-  
industrial applications where higher power levels  
preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is  
similar but superior to the earlier TO-218 package  
because of its isolated mounting hole.  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
-23  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Pulsed Drain Current ꢀ  
-16  
A
-76  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
140  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.91  
± 20  
430  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
-11  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
14  
mJ  
V/ns  
-5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.1  
–––  
40  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.24  
–––  
°C/W  
3/16/98  
12345678

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IRFP9140N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFP9140NPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP9140NHR INFINEON

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