IRFP9140N

更新时间： 2024-11-19 22:32:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)

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IRFP9140N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-247AC, 3PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：	430 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.117 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	76 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFP9140N 数据手册

PD - 9.1492A

IRFP9140N

PRELIMINARY

HEXFET^®Power MOSFET

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l P-Channel

V_DSS= -100V

R_DS(on)= 0.117Ω

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

I_D= -23A

Description

FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power

MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use

in a wide variety of applications.

The TO-247 package is preferred for commercial-

industrial applications where higher power levels

preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is

similar but superior to the earlier TO-218 package

because of its isolated mounting hole.

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

-23

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current ꢀ

-16

-76

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

140

W/°C

Linear Derating Factor

0.91

± 20

430

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energyꢀ

Avalanche Current

-11

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ

Operating Junction and

V/ns

-5.0

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

1.1

–––

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

0.24

–––

°C/W

3/16/98

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFP9140NPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET㈢ Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP9140NHR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFP9140NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP9140PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP9140PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP9140R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-247
IRFP9141	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9141R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-247
IRFP9142	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFP9142R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-247
IRFP9143	SAMSUNG	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFETS

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