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IRFP3710

更新时间： 2024-11-28 22:51:39

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英飞凌 - INFINEON		/
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8页	187K
描述
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025W, Id=57A)

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IRFP3710 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-247AC, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.77
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	530 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	57 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP3710 数据手册

PD-91490C

IRFP3710

HEXFET^®Power MOSFET

l Advanced Process Technology

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

V_DSS= 100V

_DS(on)= 0.025W

l Fully Avalanche Rated

I_D= 57A

Description

FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power

MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use

in a wide variety of applications.

The TO-247 package is preferred for commercial-

industrial applications where higher power levels

preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is

similar but superior to the earlier TO-218 package

because of its isolated mounting hole.

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V ꢀ

Pulsed Drain Current ꢀ

180

200

1.3

± 20

530

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energyꢀ

Avalanche Currentꢀ

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ

Operating Junction and

V/ns

5.0

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 srew

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

Units

R_qJC

R_qCS

R_qJA

0.75

–––

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

0.24

–––

°C/W

www.irf.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFP3710PBF	INFINEON	功能相似	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) =

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP3710HR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFP3710PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) =
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