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IRFP4137PBF

更新时间： 2024-02-17 22:01:19

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
8页	389K
描述
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

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IRFP4137PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.69
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	38 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	341 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IRFP4137PBF 数据手册

IRFP4137PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Application

 High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

 Uninterruptible Power Supply

High Speed Power Switching

V_DSS

300V

R_{DS(on) typ.}

56m

69m

 Hard Switched and High Frequency Circuits

max

I_D

38A

Benefits

 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

 Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA

 Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

 Lead-Free, RoHS Compliant

TO-247AC

Gate

Drain

Source

Standard Pack

Form

Orderable Part Number

Base part number Package Type

Quantity

IRFP4137PbF

TO-247AC

Tube

IRFP4137PbF

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current 

152

341

2.3

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

8.9

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt

V/ns

T_J

T_STG

Operating Junction and

-55 to + 175

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

°C

300

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

10 lbf·in (1.1 N·m)

Avalanche Characteristics

E_{AS (Thermally limited)}

541

Single Pulse Avalanche Energy 

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case 

Typ.

–––

0.24

–––

Max.

0.44

–––

Units

R_JC

R_CS

R_JA

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

°C/W

Junction-to-Ambient 

www.irf.com

October 30, 2012

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