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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP431 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-247VAR |
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| IRFP4310Z | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
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| IRFP4310Z | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFP4310ZPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP432 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| IRFP4321 | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFP4321PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP433 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247VAR |
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| IRFP4332 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFP4332PBF | INFINEON |
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PDP SWITCH |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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