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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP421 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFP422 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFP4227 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFP4227PBF | INFINEON |
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PDP SWITCH |
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| IRFP4228PBF | INFINEON |
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pop switch |
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| IRFP4229 | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFP4229PBF | INFINEON |
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PDP SWITCH |
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| IRFP423 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFP4232PBF | INFINEON |
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PDP MOSFET |
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| IRFP4232PBF_07 | INFINEON |
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Advanced process technology |
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