5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP4232PBF | INFINEON |
获取价格 |
PDP MOSFET |
|
| IRFP4232PBF_07 | INFINEON |
获取价格 |
Advanced process technology |
|
| IRFP4242PBF | INFINEON |
获取价格 |
PDP MOSFET |
|
| IRFP430 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-247VAR |
|
| IRFP431 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-247VAR |
|
| IRFP4310Z | ISC |
获取价格 |
N-Channel MOSFET Transistor |
|
| IRFP4310Z | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
|
| IRFP4310ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFP432 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| IRFP4321 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
