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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-247AC | 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 300 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 46 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 46 A | 最大漏源导通电阻： | 0.059 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AC |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 430 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 190 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP430 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-247VAR |
|
| IRFP431 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-247VAR |
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| IRFP4310Z | ISC |
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N-Channel MOSFET Transistor |
|
| IRFP4310Z | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFP4310ZPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFP432 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| IRFP4321 | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
|
| IRFP4321PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFP433 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247VAR |
|
| IRFP4332 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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