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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.88 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1700 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 210 A | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0039 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 230 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1000 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFP3703 | INFINEON |
类似代替  |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0028ohm, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFP3710 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025W, Id=57A) |
|
| IRFP3710HR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFP3710PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = |
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| IRFP4004PBF | INFINEON |
获取价格 |
IRFP4004PBF |
|
| IRFP4110 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRFP4110PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFP4127 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
|
| IRFP4127PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRFP4137PBF | INFINEON |
获取价格 |
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness |
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| IRFP420 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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