5秒后页面跳转
IRFL214 PDF预览

IRFL214

更新时间: 2024-11-15 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 177K
描述
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.79A)

IRFL214 数据手册

 浏览型号IRFL214的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFL214的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFL214的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFL214的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFL214的Datasheet PDF文件第6页 

与IRFL214相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFL214, SiHFL214 VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFL214PBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFL214PBF INFINEON

获取价格

HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFL214TR VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFL214TRPBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFL30N20D ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262
IRFL30N20DPBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL31N20D INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL31N20DPBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL4105 INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=3.7A)