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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-261AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 0.71 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.96 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.96 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-261AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.1 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 7.7 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFL210PBF | VISHAY |
功能相似  |
Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFL214 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.79A) |
|
| IRFL214 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFL214, SiHFL214 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFL214PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFL214PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFL214TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFL214TRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFL30N20D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262 |
|
| IRFL30N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFL31N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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