是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-261AA |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 0.71 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 50 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.96 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.96 A |
最大漏源导通电阻: | 1.5 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-261AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 3.1 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 7.7 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFL210PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFL214 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.79A) | |
IRFL214 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFL214, SiHFL214 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFL214PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFL214PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRFL214TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFL214TRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFL30N20D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262 | |
IRFL30N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFL31N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |