IRFL110PBF

更新时间： 2024-11-16 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
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8页	1456K
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Power MOSFET

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IRFL110PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-261AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.41	Samacsys Confidence：	4
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	4735
Samacsys Pin Count：	4	Samacsys Part Category：	Integrated Circuit
Samacsys Package Category：	SOT223 (3-Pin)	Samacsys Footprint Name：	SOT-223-3
Samacsys Released Date：	2015-04-22 06:49:02	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.5 A
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	0.54 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFL110PBF 数据手册

IRFL110, SiHFL110

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Surface Mount

100

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.54

RoHS*

COMPLIANT

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Q_g(Max.) (nC)

8.3

2.3

_gs(nC)

_gd(nC)

3.8

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The SOT-223 package is designed for surface-mounting

using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Its unique package design allows for easy automatic

pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has

the added advantage of improved thermal performance due

to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of

greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount

application.

SOT-223

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SOT-223

IRFL110PbF

SiHFL110-E3

IRFL110

IRFL110TRPbF^a

SiHFL110T-E3^a

IRFL110TR^a

SiHFL110T^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFL110

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

1.5

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

0.96

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.025

0.017

150

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

1.5

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

0.31

3.1

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.0

dV/dt

5.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 25 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 75 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91192

S-81361-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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IRFL110PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NIF9N05CLT1G	ONSEMI	功能相似	Protected Power MOSFET
STN1NF10	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 100V - 0.7ohm - 1A SOT-223 STripFET

与IRFL110PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFL110TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL110TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL210	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL210	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=0.96A)
IRFL210, SiHFL210	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL210PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL210PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFL210TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL210TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL214	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.79A)

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