Datasheet > IRFL210

IRFL210

更新时间： 2024-11-16 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	1069K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFL210 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-261AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.12	雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	0.96 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-261AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	7.7 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFL210 数据手册

IRFL210, SiHFL210

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Surface Mount

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

200

Available

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.5

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

8.2

1.8

COMPLIANT

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

4.5

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

SOT-223

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The SOT-223 package is designed for surface-mounting

using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.

Its unique package design allows for easy automatic

pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has

the added advantage of improved thermal performace due to

an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of greater

than 1.25 W is possible in a typical surface mount

application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SOT-223

IRFL210PbF

SiHFL210-E3

IRFL210

IRFL210TRPbF^a

SiHFL210T-E3^a

IRFL210TR^a

SiHFL210T^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFL210

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

200

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

0.96

0.6

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

7.7

Linear Derating Factor

0.025

0.017

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

0.96

0.31

E_AR

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91193

S-81377-Rev. A, 30-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRFL210相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFL210, SiHFL210	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL210PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL210PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFL210TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL210TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL214	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.79A)
IRFL214	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL214, SiHFL214	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL214PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL214PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRFL210相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

12
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

6
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

33
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

20

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFL210

IRFL210 技术参数

IRFL210 数据手册

与IRFL210相关器件

与IRFL210相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFL210

IRFL210 技术参数

IRFL210 数据手册

与IRFL210相关器件

与IRFL210相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？