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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFBF30PBF
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IRFBF30PBF

更新时间： 2024-11-05 05:39:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1010K
描述
Power MOSFET

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IRFBF30PBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：0.64Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：250 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
最大漏极电流 (ID)：3.6 A最大漏源导通电阻：3.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFBF30PBF 数据手册

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IRFBF30, SiHFBF30  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
900  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
3.7  
RoHS*  
• Fast Switching  
Qg (Max.) (nC)  
78  
10  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
42  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universially preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRFBF30PbF  
SiHFBF30-E3  
IRFBF30  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFBF30  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMITE  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
900  
20  
V
T
C = 25 °C  
3.6  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
A
TC =100°C  
2.3  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
14  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
250  
3.6  
EAR  
13  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
T
C = 25 °C  
PD  
125  
1.5  
dV/dt  
TJ, Tstg  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 36 mH, RG = 25 Ω, IAS = 3.6 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 3.6 A, dI/dt ≤ 70 A/µs, VDD ≤ 600, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91122  
www.vishay.com  
1
S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08  
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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IRFBF30PBF 替代型号

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