IRFBF30PBF

更新时间： 2024-11-05 05:39:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	1010K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFBF30PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.64	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.7 A
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	3.7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBF30PBF 数据手册

IRFBF30, SiHFBF30

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

900

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.7

RoHS*

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universially preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFBF30PbF

SiHFBF30-E3

IRFBF30

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBF30

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMITE

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

900

_C= 25 °C

3.6

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.3

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

250

3.6

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

P_D

125

1.5

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 36 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 3.6 A, dI/dt ≤ 70 A/µs, V_DD≤ 600, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91122

www.vishay.com

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFBF30PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFBF30	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
SIHFBF30-E3	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRFBF30PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IRFBF30PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBF30STRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBF32	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-220AB
IRFBF32-006PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBF32-013	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBG20	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A)
IRFBG20	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBG20PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFBG20PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBG20STRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBG20STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRFBF30PBF相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFBF30PBF

IRFBF30PBF 技术参数

IRFBF30PBF 数据手册

IRFBF30PBF 替代型号

与IRFBF30PBF相关器件

与IRFBF30PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFBF30PBF

IRFBF30PBF 技术参数

IRFBF30PBF 数据手册

IRFBF30PBF 替代型号

与IRFBF30PBF相关器件

与IRFBF30PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？