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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBF32-006PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBF32-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBG20 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A) |
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| IRFBG20 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBG20PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFBG20PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFBG20STRR | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBG20STRRPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFBG22 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.2A I(D) | TO-220AB |
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| IRFBG22-011 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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