IRFBF30

更新时间： 2024-11-26 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	1010K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFBF30 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.06
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.7 A
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	3.7 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFBF30 数据手册

IRFBF30, SiHFBF30

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

900

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.7

RoHS*

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universially preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFBF30PbF

SiHFBF30-E3

IRFBF30

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBF30

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMITE

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

900

_C= 25 °C

3.6

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.3

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

250

3.6

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

P_D

125

1.5

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 36 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 3.6 A, dI/dt ≤ 70 A/µs, V_DD≤ 600, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91122

www.vishay.com

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFBF30 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFBF30PBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

与IRFBF30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBF30L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBF30PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFBF30PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBF30STRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBF32	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 2.5A I(D) \| TO-220AB
IRFBF32-006PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBF32-013	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBG20	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A)
IRFBG20	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBG20PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRFBF30相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFBF30

IRFBF30 技术参数

IRFBF30 数据手册

IRFBF30 替代型号

与IRFBF30相关器件

与IRFBF30相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFBF30

IRFBF30 技术参数

IRFBF30 数据手册

IRFBF30 替代型号

与IRFBF30相关器件

与IRFBF30相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？