5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFBF30
IRFBF30 PDF预览

IRFBF30

更新时间： 2024-11-05 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1010K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFBF30 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.06
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
最大漏极电流 (ID)：3.6 A最大漏源导通电阻：3.7 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFBF30 数据手册

 浏览型号IRFBF30的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFBF30的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFBF30的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFBF30的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFBF30的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFBF30的Datasheet PDF文件第7页 
IRFBF30, SiHFBF30  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
900  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
3.7  
RoHS*  
• Fast Switching  
Qg (Max.) (nC)  
78  
10  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
42  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universially preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRFBF30PbF  
SiHFBF30-E3  
IRFBF30  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFBF30  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMITE  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
900  
20  
V
T
C = 25 °C  
3.6  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
A
TC =100°C  
2.3  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
14  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
250  
3.6  
EAR  
13  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
T
C = 25 °C  
PD  
125  
1.5  
dV/dt  
TJ, Tstg  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 36 mH, RG = 25 Ω, IAS = 3.6 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 3.6 A, dI/dt ≤ 70 A/µs, VDD ≤ 600, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91122  
www.vishay.com  
1
S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08  
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRFBF30 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFBF30PBF VISHAY

完全替代

 Power MOSFET

与IRFBF30相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFBF30L VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFBF30PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFBF30PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFBF30STRR VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBF32 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRFBF32-006PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBF32-013 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBG20 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=11ohm, Id=1.4A)
IRFBG20 VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFBG20PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRFBF30相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证